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MMBF2201NT1N溝道MOSFET采用小巧精密的SOT-323封裝，實現空間利用率最大化。該器件具有20V的最大漏源電壓(VDSS)，在導通狀態下可承載2A的漏極電流(ID)，同時保持優秀的低導通電阻49mR(RD(on))，從而有效提高系統效能，減少能量損失。這款MOS管廣泛應用在開關電源轉換、馬達驅動、消費電子產品等場景中，是工程師打造高性能、低能耗電路的理想之選。
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