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DMG2301L是一款高效能P溝道MOSFET，采用節省空間的SOT-23封裝形式，特別適合低功耗和緊湊型電子設計。產品關鍵特性包括耐壓等級VDSS高達20V，可承載2.3A的連續漏極電流，展現了卓越的電流處理能力。其導通電阻RD(on)低至95mR，有效降低功耗并提升系統能效。DMG2301LMOS管憑借其出色的開關性能、小巧尺寸以及穩定的運行表現，廣泛應用于電源切換、電池保護、便攜式設備電路設計等領域，是您設計中的理想半導體元件選擇。
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