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2N7002E-T1-E3N溝道MOS管采用小巧的SOT-23封裝，特別適合空間有限的設計項目。該器件支持高達60V的漏源電壓(VDSS)，并能提供0.3A的連續漏極電流(ID)，適用于低至中等電流級別的應用。其導通電阻RD(on)為1000mR，盡管相對較高，但在微小電流傳輸或信號控制方面表現出色。廣泛應用于電源管理、邏輯電平轉換、低功率電路控制等領域，是微型化電子產品的理想選擇。
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