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DMN65D8LQ是一款高性能N溝道MOSFET，采用微型SOT-23封裝，專為現代緊湊型電子設備設計。器件具備60V的高耐壓（VDSS），可承載0.3A的連續漏極電流（ID），且其優越的導通性能體現在低至1000mR的導通電阻（RD(on)）上，有效降低能耗，提升系統效能。廣泛應用于電源管理、負載開關、電機驅動等電路中，是實現高效、節能應用的理想半導體元件。
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