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Si2338DS-T1-GE3是一款N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，尤其適合于高密度電路設計。器件提供30V的最大漏源電壓(VDSS)，具備強大的電流承載能力，可持續處理5.8A漏極電流(ID)，且在導通狀態下具有極低的22mR導通電阻(RD(on))，有效提升了功率轉換效率。此款MOS管廣泛應用于開關電源、電機驅動、以及其他高功率電子設備中，助力實現高效能、低損耗的系統方案。
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