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DMN2041L是一款高性能N溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝，專為高功率密度和低功耗應用設計。器件提供20V的最大漏源電壓(VDSS)，能夠承載6A的連續漏極電流(ID)，并配備22mΩ的超低導通電阻(RD(on))，確保了卓越的電能轉換效率和穩定性。廣泛應用于電源轉換、電機驅動、電池管理系統等場景，是小型化、高效電子設備的優質半導體元件。
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