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DMN3033LSNQN溝道MOSFET采用小型化SOT-23封裝，為現代電子設備提供強勁動力支持。這款器件具備30V的高耐壓值(VDSS)，能在導通狀態下安全承載高達5.8A的大電流，且擁有出眾的低導通電阻特性——僅22mR(RD(on))。它非常適合應用于開關電源轉換、大電流電機驅動及其他對能效與穩定性有較高要求的場合，是您提升系統性能、優化能源利用的理想半導體器件之選。
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