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DMN3070SSNN溝道MOSFET采用緊湊型SOT-23封裝，為高性能電子設備提供強大驅動力。本器件擁有30V的高擊穿電壓(VDSS)，能在滿載條件下承載高達5.8A的漏極電流(ID)，并憑借其出色的導通電阻22mR(RD(on))，實現卓越的電力傳輸效率。這款MOS管適用于開關電源、大電流電機驅動等高功率應用場景，是提高系統效能、節約能源的優選半導體元件。
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