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MCH3479是一款小巧的N溝道MOSFET，采用節省空間的SOT-323封裝，特別適用于高密度電路設計。該器件支持最大漏源電壓20V(VDSS)，并能提供穩定的2A漏極電流(ID)，其亮點在于擁有49mΩ的低導通電阻(RD(on))，有效降低了系統功耗，提升了能效比。MCH3479MOS管廣泛應用于移動設備、電源控制、邏輯切換等領域，是小型化、節能電子產品設計的理想組件。
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