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Si2300DS-T1-GE3是一款N溝道MOSFET，采用精巧的SOT-23封裝，專為緊湊型電路設計。器件支持20V的最大漏源電壓(VDSS)，并能穩定處理6A的連續漏極電流(ID)，體現卓越的電流承載力。其導通電阻(RD(on))僅有22mΩ，有效減少功率損耗，提高能效表現。廣泛應用于電源轉換、電機驅動、負載開關等領域，是您追求高集成度與低功耗半導體解決方案的理想選擇。
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