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IRLML6402GPbF是一款高性能P溝道MOSFET,采用小型SOT-23封裝,專為高效能、低功耗應用設計。其核心特性包括最高工作電壓VDSS為20V,能夠處理高達4.2A的連續漏極電流,凸顯卓越的電力管理性能。器件亮點是其超低的導通電阻RD(on)僅為48mR,有效節省能源并提升系統效率。得益于其出色的開關速度、高電流承載能力和穩定的運行表現,IRLML6402GPbFMOS管廣泛應用在電源轉換、電池保護、便攜式電子設備等諸多領域,是您電路設計的理想半導體元件。
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