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Si2323DDS-T1-GE3是一款P溝道MOSFET，采用業界標準SOT-23封裝，專為緊湊型電子設計提供卓越性能。該器件特性鮮明具有20V的最大工作電壓VDSS，能穩定處理5A的漏極電流；并且，其30mΩ的低導通電阻RD(on)設計大大減少了功率損失，提高了系統整體能效。廣泛應用于電源管理、負載開關控制、電池保護等電路設計中，是您尋求高性能、節能方案的理想MOS管元件選擇。
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