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Si2323DS-T1-E3是一款P溝道MOSFET，采用小型化SOT-23封裝，專為緊湊電子設計提供高集成度解決方案。該器件特性顯著具備20V的最大工作電壓VDSS，可安全承載5A的連續漏極電流；其低至30mΩ的導通電阻RD(on)，旨在最大限度地降低功耗，提升系統能效。適用于電源轉換、負載開關、電池保護等廣泛應用場景，是您追求節能與高性能的理想MOS管器件選擇。
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