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FDN308P是一款P溝道MOSFET，采用小型化SOT-23封裝，專為高密度電子電路設計。其核心性能包括最大漏源電壓(VDSS)為20V，能穩定輸出3A漏極電流(ID)，同時具有較低的60mΩ導通電阻(RD(on))，在低電壓、中等電流應用中表現出色。這款MOS管適用于電源管理、負載開關控制、邏輯電平轉換等功能場景，是優化系統效能和縮小產品體積的理想半導體元件。
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