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Si2329DS-T1-GE3是一款P溝道MOSFET，采用經濟高效的SOT-23封裝，適合各類緊湊型電路設計。該器件亮點在于具備20V的最大工作電壓VDSS，可穩定輸出5A的漏極電流；并且擁有30mΩ的低導通電阻RD(on)，確保了更低的功率損耗和更高的系統效率。廣泛應用于電源轉換、負載開關、電池保護等相關領域，是您在設計高集成度和節能方案時的理想MOS管器件選擇。
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