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FDN5618P是一款P溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝，適用于空間有限的設計項目。該器件提供高達60V的漏源電壓(VDSS)，能夠支持1.6A的連續漏極電流(ID)，并且具備140mΩ的導通電阻(RD(on))，在低電壓應用中展現卓越性能。廣泛應用于電源開關、負載切換、邏輯電平轉換等功能模塊，是您構建高效、可靠電路的理想選擇。
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