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NDS332PMOS管,采用緊湊型SOT-23封裝形式,內建P溝道結構,性能卓越。該器件具有20V的最高漏源擊穿電壓(VDSS),能在安全電壓范圍內穩定工作,同時提供高達2.3A的連續漏極電流(ID),確保強大驅動能力。尤其值得關注的是其超低導通電阻RD(on)僅120mR,顯著降低了功率損耗并提升了整體系統效能。適用于電源管理、開關調節等電路設計,是您實現高效能應用的理想之選。
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