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SI2309CDS-T1-GE3是一款P溝道MOSFET，采用小巧的SOT-23封裝，適用于空間緊湊的高效電路設計。該器件具備60V的漏源電壓額定值(VDSS)，能在160mR(RD(on))的導通電阻下穩定傳遞2A漏極電流(ID)。廣泛應用于電源管理、電池保護電路、負載開關等場景，憑借其出色的電壓耐受力與良好的電流控制特性，成為您提升系統效能和可靠性的理想半導體組件。
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