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Si2312BDS-T1-E3是一款高性能N溝道MOSFET，采用小型化SOT-23封裝，專為高效能、低功耗電路設計。該器件提供20V的最大漏源電壓(VDSS)，可穩定承載3A的漏極電流(ID)，并具備出色的23mΩ導通電阻(RD(on))，確保了良好的能源轉換效率。廣泛應用于電源管理、負載開關、電池管理系統等場景，是構建小型化、節能型電子設備的優秀半導體組件。
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