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MCH3376是一款高效P溝道MOSFET，采用小型SOT-323封裝，專為高密度電路設計。器件提供20V的最大漏源電壓(VDSS)，可承載1.8A的連續漏極電流(ID)，并具有120mΩ的導通電阻(RD(on))，確保在低功耗下保持良好的電能轉換效率。廣泛應用于電源管理、負載開關、邏輯電路反轉等領域，是小型化、節能型電子設備的理想半導體組件。
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