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DMN2058U是一款高性能N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專為高效能電子設備設計。該器件提供20V的最大漏源電壓(VDSS)，可穩定處理高達6A的漏極電流(ID)，且具備出色的低導通電阻22mΩ(RD(on))，確保了卓越的能效表現和低功耗。廣泛應用在電源管理、電池保護、開關調節等場景中，是實現小型化、高效率電路設計的理想半導體元件。
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