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Si2312CDS-T1-GE3是一款高性價比N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，特別適用于空間受限且需高效能的電子設計。器件支持最大20V的漏源電壓(VDSS)，并能穩定提供6A的漏極電流(ID)，同時擁有低至22mΩ的導通電阻(RD(on))，確保了優秀的電能轉換效率和低功耗。廣泛應用于電源管理、負載開關、馬達驅動等場景，是小型化、節能型電子設備的理想半導體元件。
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