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DMG3418LN溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝技術，為現代電路設計提供了高功率密度解決方案。這款器件具備30V的高額定漏源電壓(VDSS)，并可在導通狀態下輕松駕馭高達5.8A的漏極電流(ID)，同時展現出令人稱贊的低導通電阻，僅為28mR(RD(on))，確保了卓越的能效表現。DMG3418LMOS管廣泛應用于開關電源、高速電機驅動以及眾多高性能電子系統中，是您構建強大而又節能的電路系統的得力助手。
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