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Si2312BDS-T1-GE3是一款高性能N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專為高集成度和低功耗應用設計。器件具有20V的最大漏源電壓(VDSS)，并可承受3A的連續漏極電流(ID)，憑借其卓越的23mΩ導通電阻(RD(on))，在保證高效率的同時有效降低功耗。廣泛應用于電源轉換、負載開關、電池保護等電路中，是實現小型化、節能電子設備的理想半導體元件。
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