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Si2302DDS-T1-GE3型號MOS管采用緊湊型SOT-23封裝，內含尖端N溝道技術，專為優化電路性能設計。器件支持20V的漏源電壓(VDSS)，可穩定處理2.3A的連續漏極電流(ID)，適用各類中小功率應用。其導通電阻僅為48mR(RD(on))，確保了低功耗和高效率運作。廣泛應用于電源管理、負載開關及低壓電子設備的開關控制，是提升產品能效比和可靠性的重要半導體組件。
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