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Si2303CDS-T1-GE3是一款高效P溝道MOSFET，采用小巧的SOT-23封裝，便于在緊湊型電路設計中靈活使用。器件亮點在于擁有30V的最大漏源電壓(VDSS)，可穩定承載4.1A漏極電流(ID)，同時具備48mΩ的導通電阻(RD(on))，確保在低損耗狀態下實現高效能運作。此款MOS管廣泛應用于電源管理、負載開關、電機驅動等各種場景，是您提升系統性能和節能效果的理想選擇。
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