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BSH111BKR是一款N溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝，特別適用于緊湊型電子設計。該器件具有60V的漏源電壓額定值(VDSS)，可承載0.3A的連續漏極電流(ID)，且因其卓越的導通性能，導通電阻低至1000mR，有效減少能源損耗，提升系統效率。廣泛運用于電源轉換、開關控制、電機驅動等各種電路中，是您實現低功耗、高性能設計的理想半導體元件。
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