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DMN3051L是一款N溝道MOSFET，采用小巧的SOT-23封裝形式，適宜緊湊型電路布局需求。其關鍵參數包括30V的最大漏源電壓(VDSS)，可穩定承載4A的連續漏極電流(ID)，充分滿足中高功率應用場景。獨特之處在于其29mΩ的低導通電阻(RD(on))，有助于提高系統效率，減少能耗損失。DMN3051LMOS管以其優良的電氣性能，廣泛應用于電源轉換、負載開關及各種便攜式電子設備的電路設計中。
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