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PMV45EN2R是一款高性能N溝道MOS管，選用緊湊型SOT-23封裝，尤其適合對空間利用有嚴格要求的電路設計。其核心技術指標包括最高30V的漏源極擊穿電壓(VDSS)，以及4A的連續漏極電流(ID)，彰顯出強大的電流處理性能。更值得關注的是，該器件具有優越的導通電阻(RD(on))僅為29mΩ，旨在最大程度地減少功率損耗，提高系統效能。這款MOS管廣泛應用于電源轉換器、充電器、電機驅動等需高效能、低阻抗元件的電子產品中。
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