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IPD30N06S2L-23是一款高功率N溝道MOSFET，封裝類型為TO-252-2L，專為高密度電源應用設計。該器件提供60V的最大漏源電壓(VDSS)，并能在滿載下處理50A的強大連續電流(ID)，且擁有優秀的導通特性，導通電阻僅為15mR(RD(on))，從而大大減少了功率損耗，提高了系統效率。廣泛應用于開關電源、電池管理系統、電機驅動等對效率要求較高的場合。
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