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FDS6675BZP溝道MOSFET采用SOP-8封裝工藝，專為高效能、大電流應用設計。該器件具有30V的最大漏源電壓(VDSS)，并能持續承載高達12A的大電流，其突出優勢在于僅有10mΩ的導通電阻，確保在高功率狀態下也能展現出卓越的能效表現。廣泛應用在電源轉換、電機驅動、負載開關等領域，以強大的電流處理能力和絕佳的電氣性能，為您的電路設計提供強有力的支持。
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