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CSD16411Q3N溝道MOS管，采用先進的DFN3X3-8L封裝工藝，小巧輕便，適用于高密度電路設計。具備30V的耐壓等級（VDSS）和高達60A的連續漏極電流（ID），確保卓越的電力處理能力。其導通電阻僅為6mΩ（RD(on)），有效降低功耗，提升系統能效。此款MOS管是您在高頻開關電源、電機驅動等應用中的理想選擇。
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