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SQ2308CES-T1_GE3N溝道MOSFET采用緊湊型SOT-23封裝，專為現代電子設備的小型化設計打造。器件具備強大性能參數最大漏源電壓(VDSS)高達60V，持續電流(ID)高達3A，且導通電阻(RD(on))僅為80mΩ，確保在高負荷條件下仍能保持優異的能源效率和散熱性能。廣泛適用于電源轉換、電機驅動、負載開關等應用場景，以出色的效能和穩定性，為您提供電路設計的上乘之選。
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