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CSD17579Q3AN溝道MOSFET，采用緊湊型DFN3X3-8L封裝，專為高效空間利用而設計。該器件擁有30V的最大額定電壓（VDSS），并可承載強大的60A連續漏極電流，性能卓越。尤其突出的是其超低的導通電阻6mΩ（RD(on)），顯著減少功率損耗，提高整體工作效率。這款MOS管適用于各類高性能開關電源、馬達驅動及大電流控制場景，是工程師的理想之選。
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