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RQ3E130MN是一款高性能N溝道MOSFET，采用小型化DFN3X3-8L封裝，專為大電流、低阻抗應用設計。器件提供30V的漏源電壓(VDSS)，在6mR的超低導通電阻(RD(on))下，能夠承載高達60A的漏極電流(ID)。廣泛應用于開關電源、電池管理系統、電機驅動等領域，憑借其出色的電流承載能力和卓越的能效性能，是優化系統效能、降低能耗的理想半導體元件。
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