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SQ2348ES-T1_GE3是一款N溝道MOSFET，采用經濟實用的SOT-23封裝，專為現代高效率電路設計。該器件具備30V的漏源電壓(VDSS)，能夠處理高達5.8A的連續漏極電流(ID)，并擁有出色的低導通電阻性能，僅為22mR(RD(on))。廣泛應用于開關電源轉換、電機驅動及多種高功率電子系統，這款MOS管憑借卓越的電流承載能力和高效能表現，成為您設計中的理想半導體元件。
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