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SQ2310ES-T1_GE3是一款高效N溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝，專為高功率密度和低功耗電子設計。該器件具有20V的最大漏源電壓(VDSS)，并能穩定處理6A的連續漏極電流(ID)，搭配其出色的22mΩ導通電阻(RD(on))，確保了卓越的電能轉換效率和低功耗性能。廣泛應用于電源管理、電機驅動、電池保護系統等領域，是實現小型化、高性能電子解決方案的理想半導體組件。
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