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FDMC7680是一款高性能N溝道MOSFET，采用超小型DFN3X3-8L封裝，專為高密度電路板設計。其關鍵特性包括30V的最大漏源電壓(VDSS)，并能在苛刻條件下提供驚人的60A連續漏極電流(ID)，展現了強大的電力處理能力。更值得關注的是，其導通電阻僅為6mΩ(RD(on))，確保了在大電流傳輸時依然保持較低的功率損耗。此款MOS管廣泛應用在電源轉換、快速充電技術、大電流開關電路等領域，是工程師追求高效能設計的理想之選。
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