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此款半導體器件是一款采用KBP封裝技術的整流橋，專為高效率、低損耗應用設計。其關鍵性能指標包括VR高達1000V，能有效應對嚴苛的電壓環境，確保設備安全穩定；VF表現為1.1V@3A，意味著在3A的工作電流下，其壓降極低，顯著提升電源轉換效率；額定工作電流IO為3A，提供持久穩定的電力傳輸能力。適用于各類要求嚴苛的電源系統、逆變器等電子設備，是提升系統效能和可靠性的理想之選。
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