輝達(dá)B系列有解 埃米機(jī)臺(tái)將到手 臺(tái)積先進(jìn)制程雙喜臨門

                             臺(tái)積電先進(jìn)制程利多二連發(fā)！供應(yīng)鏈消息透露，輝達(dá)（NVIDIA）Blackwell修改6層Metal layer（金屬層）光罩，不用重新流片（tape-out）再投產(chǎn)，遞延生產(chǎn)時(shí)間有限，樂觀估計(jì)GB200于12月量產(chǎn)，明年第一季大量交付ODM。另外，ASML的High-NA EUV（高數(shù)值孔徑極紫外光微影系統(tǒng)）設(shè)備將于9月首度抵臺(tái)、傳出將直送交臺(tái)積電全球研發(fā)中心，搶先布局埃米時(shí)代。

                             人工智慧（AI）及高效能運(yùn)算（HPC）需求強(qiáng)勁，對(duì)先進(jìn)封裝技術(shù)的要求也隨之提高，GB200遞延消息成為AI產(chǎn)業(yè)最大的多空指標(biāo)；相關(guān)業(yè)者透露，Blackwell晶片金屬層在高壓制程下遇到不穩(wěn)定情況，因此針對(duì)問題修正，該事件于7月便已克服，加上情況發(fā)生在后道工序（Back-of-Line），研判毋須重新流片生產(chǎn)。但目前仍卡關(guān)在CoWoS-L產(chǎn)能，今年仍以S為大宗。

                             不過，改版的B200將在10月下半年完成，GB200可望順利于12月進(jìn)入量產(chǎn)，明年第一季便能大量交付ODM業(yè)者。法人表示，臺(tái)積電CoWoS產(chǎn)能持續(xù)滿載，GB200延后對(duì)營運(yùn)無影響，而相關(guān)產(chǎn)能更加足馬力擴(kuò)充，CoWoS-L為首要建置目標(biāo)，相較于S之99％之良率，L約略低于其8個(gè)百分點(diǎn)。

                             在先進(jìn)制程部分，3奈米臺(tái)積電幾乎一統(tǒng)江湖，法人估計(jì)，明年1月1日先進(jìn)制程漲價(jià)6％，美系手機(jī)客戶則調(diào)升3％。2奈米臺(tái)積電保持穩(wěn)健步伐，預(yù)計(jì)能在規(guī)模上領(lǐng)先競爭對(duì)手。

                             此外，供應(yīng)鏈透露，臺(tái)積電訂購之ASML High-NA EUV設(shè)備將于本月抵臺(tái)，初號(hào)機(jī)作為實(shí)驗(yàn)用，將會(huì)以新竹寶山全球研發(fā)中心率先擁有；臺(tái)積電于SEMICON釋出后CFET（互補(bǔ)式場(chǎng)效電晶體）時(shí)代路徑圖，比利時(shí)微電子研究中心（imec）透露A14制程開始，為追求更小的金屬層間距（Metal pitch），即會(huì)開始使用High-NA EUV，對(duì)照臺(tái)積電于2026年以EUV量產(chǎn)A16，外界猜測(cè)A14開始將以High-NA EUV為主。

                             臺(tái)積電逐漸于軍備競賽取得領(lǐng)先地位，對(duì)手傳出在愛爾蘭半導(dǎo)體園區(qū)進(jìn)行人力精簡政策，業(yè)內(nèi)專家指出，愛爾蘭所屬Fab 34于去年甫新廠落成啟動(dòng)，掌握極紫外光EUV技術(shù)，恐將失去部分產(chǎn)能；不過將精力投注在埃米時(shí)代戰(zhàn)場(chǎng)，是目前最佳的策略選擇。