MOS管被靜電擊穿的原因分析
MOS管一個ESD敏感器件,它本身的輸入電阻很高,而柵-源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電,又因在靜電較強的場合難于泄放電荷,容易引起靜電擊穿。靜電擊穿有兩種方式:一是電壓型,即柵極的薄氧化層發生擊穿,形成針孔,使柵極和源極間短路,或者使柵極和漏極間短路;二是功率型,即金屬化薄膜鋁條被熔斷,造成柵極開路或者是源極開路。現在的mos管沒有那么容易被擊穿,尤其是是大功率的vmos,主要是不少都有二極管保護。vmos柵極電容大,感應不出高壓。若是碰上3DO型的mos管冬天不帶防靜電環試試,基本上摸一個掛一個。與干燥的北方不同,南方潮濕不 ...