HBM高度客制 明年需求仍看好

                                       高頻寬記憶體（HBM）供需問題，成為記憶體產(chǎn)業(yè)界高度關注問題，法人機構調(diào)查后發(fā)現(xiàn)，2025年HBM需求有上升空間，且因客制化程度高，通用性也不強，在國際廠商計畫性生產(chǎn)下，預期2025年不易有超額供給問題。

                                       HBM是一種可以用于高速運算、能運送大量資料的記憶體，目前市場由三星、SK海力士與美光三大DRAM廠所壟斷。

                                       臺系廠商未生產(chǎn)HBM，因此法人關注重點在于，三大DRAM廠產(chǎn)能擴產(chǎn)情況，對整體DRAM供需及報價的影響，以及臺廠如威剛等，在HBM延伸應用領域的進度。

                                       市場法人分析，2025年HBM主流規(guī)格，將轉(zhuǎn)為8層和12層的HBM3E，其中，12層的HBM3E將搭配輝達（NVIDIA）的Blackwell系列，以及超微（AMD）的MI325、MI350等AI加速器使用。

                                       根據(jù)外資券商瑞銀證券調(diào)查發(fā)現(xiàn)，儘管市場上輝達晶片延遲出貨傳聞不斷，但該券商重申，三星及SK海力士的12層HBM3E，皆將于2024年第四季開始出貨給輝達。

                                       該券商預測，隨著客戶詢問熱度不退，2025年HBM需求，仍有上升空間，可能接近或超過瑞銀預測的223億GB。

                                       另據(jù)市場法人調(diào)查發(fā)現(xiàn)，由于HBM客制化程度高，需通過輝達、超微及ASIC方案商驗證通過，才能正式出貨，屬計畫性生產(chǎn)，供給增加量有限。

                                       在制程上，HBM前段制程與DDR5共用，后段硅穿孔（TSV）及熱壓鍵合（TCB）等設備為特殊用途。HBM供應商不致于因設備的折舊壓力，而生產(chǎn)過多產(chǎn)品，因此，研判2025年HBM出現(xiàn)供給過剩的機率不大。

                                       法人預期，三星、SK海力士與美光三大DRAM廠商，在2025年將致力于升級到1b／1β，甚至1c奈米制程，以應對未來伺服器市場對下一代高頻寬記憶體HBM3E、128GB或更高DDR5模組需求。

                                        至于用于生產(chǎn)DDR4、DDR3等成熟制程供給，三大DRAM廠商則將持續(xù)減少，因此，法人研判，2025年DRAM市場供需有望維持平衡。