輝達(dá)臺(tái)積催動(dòng)下世代晶片

                                                            業(yè)界傳出，搭載輝達(dá)（NVIDIA）最新Blackwell平臺(tái)GB200等AI晶片的伺服器本季量產(chǎn)之際，輝達(dá)正攜手臺(tái)積電等供應(yīng)鏈啟動(dòng)原訂2026年亮相的下世代Rubin平臺(tái)晶片開發(fā)，可望讓下世代晶片提前半年問世。

                                                             輝達(dá)供應(yīng)鏈向來不評(píng)論客戶與訂單動(dòng)態(tài)。法人認(rèn)為，輝達(dá)提前啟動(dòng)下世代AI晶片平臺(tái)開發(fā)，讓AI熱潮一波接一波，“好戲在后頭”，不僅將挹注臺(tái)積電先進(jìn)制程接單持續(xù)熱轉(zhuǎn)，更將引動(dòng)日月光投控、京元電等先進(jìn)封裝協(xié)力廠掀起新一波接單熱潮。

                                                             輝達(dá)執(zhí)行長黃仁勳先前預(yù)告，輝達(dá)AI晶片採一年一節(jié)奏計(jì)畫，2025年將推出Blackwell Ultra，并于2026年端出下一代Rubin平臺(tái)。外界預(yù)期，Rubin平臺(tái)將是輝達(dá)首款採臺(tái)積電3奈米制程生產(chǎn)的AI晶片，將可打造地表功能最強(qiáng)的AI晶片。

                                                             摩根士丹利（大摩）半導(dǎo)體分析師詹家鴻表示，根據(jù)輝達(dá)最新AI 晶片產(chǎn)品藍(lán)圖，下世代Rubin平臺(tái)將採3奈米制程，及共同光學(xué)封裝（CPO）和HBM4記憶體技術(shù)，尺寸是目前最新的Blackwell平臺(tái)的二倍，包含四個(gè)計(jì)算晶片，預(yù)計(jì)2025下半年投片、2026年量產(chǎn)。

                                                             臺(tái)積電作為Rubin平臺(tái)晶片主要晶片代工廠，在先進(jìn)封裝技術(shù)至關(guān)重要。詹家鴻預(yù)計(jì)，臺(tái)積電有望在2026年進(jìn)一步擴(kuò)展CoWoS產(chǎn)能，來應(yīng)對(duì)Rubin的大尺寸晶片需求。目前臺(tái)積電計(jì)劃至2025年第4季度將 CoWoS產(chǎn)能提升至每月約8萬片。

                                                             大摩認(rèn)為，臺(tái)廠中，京元電是輝達(dá)AI晶片最終測試主力，并預(yù)期京元電來自輝達(dá)的AI晶片相關(guān)測試營收將在2025年占總收入約26%，讓京元電在測試領(lǐng)域的地位更加穩(wěn)固。日月光方面，其CoW雖然在2025年的增長動(dòng)能相對(duì)次要，但先進(jìn)封裝與測試收入將成為主要驅(qū)動(dòng)力，2025年該收入將超過10億美元，展現(xiàn)強(qiáng)勁增長潛力。

                                                             大摩認(rèn)為，臺(tái)積電與相關(guān)供應(yīng)鏈已著手準(zhǔn)備Rubin晶片，新晶片有望提前半年問世，將嘉惠臺(tái)積電、日月光、京元電等，均給予“優(yōu)于大盤”評(píng)級(jí)，目標(biāo)價(jià)各為1,330元、180元、160元。