英特爾新技術 叫陣臺積

                                                          英特爾營運陷入低潮，公司仍力圖反撲，在業界重量級會議“2024年IEEE國際電子元件會議”發表一系列先進技術，包括透過使用新材料減材釕（subtractive Ruthenium）以提升電晶體容量達25％，同時使用先進封裝的異質整合解決方案，首次讓吞吐量提高100倍，實現超快速晶片對晶片組裝，持續叫陣臺積電。

                                                          在英特爾發表的一系列先進技術當中，以採用減材釕來強化晶片間訊號連接速度，讓先進封裝后訊號傳輸速度將可望快上100倍，最受關注。

                                                          法人看好，臺廠當中，貴金屬材料廠光洋科是臺灣進口釕數量最大的代理商，未來隨著釕在半導體先進技術扮演要角，光洋科將優先受惠，后續業績有望進入高速成長期。

                                                          英特爾表示將使用減材釕提升薄膜電阻及降低氣隙效應，讓曝光制程時能減少氣隙排除區，且提高蝕刻準確度。業界說明，釕（Ru）是鉑金的附屬產品，跟鉑金很像，特性是穩定性極佳，因此主要應用在硬碟儲存產業。

                                                          英特爾強調，減材釕是一種新的關鍵替代金屬化材料，該公司相關團隊在研發測試工具中展示具備成本效益，且適用于大量生產的減材釕整合制程。採用具備氣隙特性的減法釕，可在間距小于或等于25奈米時，降低線間電容幅度達25％，凸顯出金屬化方案的減材釕在緊密間距中替代銅鑲嵌的優勢。此一解決方案將會出現在英特爾晶圓代工未來的制程節點中。

                                                          另外，為進一步推動環繞式閘極（GAA）微縮，英特爾晶圓代工也展示硅RibbonFET CMOS與用于微縮2D FET的閘極氧化物模組的工作成果，可提高元件效能。