魏哲家訪ASML 買祕(mì)密武器

                                 臺(tái)積電何時(shí)採(cǎi)購(gòu)艾司摩爾（ＡＳＭＬ）最新世代高數(shù)值孔徑（High-NA）極紫外光（EUV）設(shè)備引發(fā)關(guān)注，據(jù)了解，臺(tái)積電董事長(zhǎng)暨總裁魏哲家五月密訪艾司摩爾，已敲定買下艾司摩爾最新代號(hào)NXE5000的High-NA EUV設(shè)備，并預(yù)定秋天進(jìn)駐臺(tái)積電位于新竹的研發(fā)中心第八廠（P8），且敲定將導(dǎo)入用于新一代採(cǎi)用互補(bǔ)式場(chǎng)效電晶體（ＣＦＥＴ）架構(gòu)的一奈米（內(nèi)部稱A10）研發(fā)作業(yè)。

                                 值得一提的是，臺(tái)積電也與ＡＳＭＬ達(dá)成協(xié)議，原本ＡＳＭＬ統(tǒng)籌在荷蘭總部進(jìn)行最先進(jìn)EUV研發(fā)工作，將首度拉到臺(tái)灣，進(jìn)駐臺(tái)積電研發(fā)中心；對(duì)照同為ＡＳＭＬ供應(yīng)鏈成員的EUV光源關(guān)鍵零組件蔡司在臺(tái)首座創(chuàng)新研發(fā)中心六月中旬落成啟用，預(yù)料在面對(duì)英特爾和三星兩大強(qiáng)敵威脅下，臺(tái)積可望取得壓倒性勝利。

                                 臺(tái)積電今天下午舉行法說(shuō)會(huì)，因法說(shuō)前處于緘默期，無(wú)法對(duì)公司制程布局做任何評(píng)論。但臺(tái)積何時(shí)導(dǎo)入High-NA EUV一直是法人追蹤焦點(diǎn)，預(yù)料隨新戰(zhàn)略布局浮現(xiàn)，將掀起新話題。

                                 ＡＳＭＬ高數(shù)值孔EUV設(shè)備，因線寬更精細(xì)，可將電路設(shè)計(jì)曝光在硅晶圓上更清楚，并節(jié)省光罩次數(shù)，成為晶圓三雄英特爾、三星和臺(tái)積電下個(gè)戰(zhàn)場(chǎng)。英特爾宣布率先導(dǎo)入，并搶先買下第一臺(tái)High-NA EUV，計(jì)畫用于14A制程；三星電子會(huì)長(zhǎng)李在鎔去年也飛往荷蘭訪問(wèn)ＡＳＭＬ，ＡＳＭＬ承諾與三星共同投資七億歐元（約臺(tái)幣二五○億元），于南韓首都圈設(shè)立開發(fā)新一代EUV設(shè)備。相形之下，在ＡＳＭＬ營(yíng)收占比最高的臺(tái)積電顯得謹(jǐn)慎許多。臺(tái)積電資深高層曾透露，考量High-NA EUV機(jī)臺(tái)售價(jià)過(guò)于昂貴，公司預(yù)計(jì)在A16制程技術(shù)后的產(chǎn)品再考慮使用。

                                今年五月廿三日，魏哲家缺席自家舉辦的“臺(tái)積電技術(shù)論壇”，而是密訪ＡＳＭＬ總部以及德國(guó)工業(yè)雷射公司TRUMPF。消息指出，魏哲家此行確實(shí)是為了採(cǎi)買ＡＳＭＬ最新款High-NA和NA EUV曝光機(jī)，親訪的目的是要談價(jià)格，但ＡＳＭＬ并未讓步，但愿意將過(guò)去由臺(tái)積電派員前去荷蘭總部與ＡＳＭＬ共同研發(fā)的模式，改到臺(tái)積電位于新竹的研發(fā)中心。

                                臺(tái)積電與ＡＳＭＬ敲定新的合作研發(fā)模式，和ＡＳＭＬ與三星的合作備忘錄相近，但臺(tái)積電打算將新購(gòu)的High-NA EUV微影設(shè)備，投入採(cǎi)用互補(bǔ)式場(chǎng)效電晶體架構(gòu)的一奈米研發(fā)作業(yè)，換句話說(shuō)，臺(tái)積電即將于明年下半年量產(chǎn)的二奈米，和預(yù)定在后年量產(chǎn)的埃米級(jí)A16，甚至是一點(diǎn)四奈米制程的A14，都仍會(huì)延用低數(shù)值孔徑的EUV。