禁HBM輸中 美管制瞄準韓企

                           美國即將在8月下旬更新并繼續(xù)收緊對中國的晶片禁令，最新傳出的消息是，將限制中國取得包括HBM2、HBM3、HBM3E等先進AI記憶體晶片，以及制造上述晶片所需設(shè)備。一旦落實，韓國的全球兩大記憶體晶片廠SK海力士及三星恐將中槍。

                          近日市場針對美國即將推出的新規(guī)細節(jié)消息不斷。7月上旬曾傳出，白宮正建立一份清單，列出中國生產(chǎn)半導(dǎo)體所需的關(guān)鍵元件，并以更嚴格的“外國直接產(chǎn)品規(guī)則”（FDPR）標準實施限制。到了7月底，近一步傳美國將擴大阻止部分國家向中國出口半導(dǎo)體制造設(shè)備，但日、韓、荷晶片制造設(shè)備盟友可望豁免。值得注意的是，消息未提及豁免臺灣，引發(fā)業(yè)界高度關(guān)注。

                          高頻寬記憶體（HBM）發(fā)展至今已進入第四代HBM3和第五代HMB3E，是AI晶片重要組成之一，因此也被美方擔(dān)憂用來發(fā)展軍備。SK海力士、三星和美光三家廠商目前在該領(lǐng)域壟斷全球市場。中國方面，記憶體大廠長鑫存儲雖已能制造HBM2，但技術(shù)與三大廠仍有明顯落差。

                          外媒報導(dǎo)，美國為了不讓中國制造商掌握重要技術(shù)，正在制定幾項新規(guī)，管制包含上述先進AI記憶體晶片，以及制造該晶片所需設(shè)備。

                          雖然，美國規(guī)劃中的新措施將限制先進HBM晶片對中企的直接銷售，但目前尚不清楚已裝在AI加速器裡的先進記憶體晶片，是否可被允許銷往中國大陸。

                          此外，與HBM相關(guān)的管制，還包括計畫加強先進DRAM晶片的管制，企圖阻止長鑫存儲增強晶片技術(shù)。單一HBM晶片一般由數(shù)個DRAM晶粒堆迭而成。

                          消息人士還表示，美光基本上不會受到新規(guī)影響，因為去年中國大陸禁止美光記憶體用于關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施之后，美光就不再向其出口HBM晶片。

                          不過目前尚不清楚美國會使用什么權(quán)力來限制韓國兩大晶片廠銷售給中國。報導(dǎo)指出，其中一種可能的方式，是援引FDPR。該法可以限制即使只使用最少量美國技術(shù)的外國產(chǎn)品，出口至中國。而SK海力士和三星，都依賴EDA廠益華（Cadence）、半導(dǎo)體制造裝置廠應(yīng)材等美國企業(yè)進行生產(chǎn)。