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GBU

MXsemi

晶體管

1500個/圓盤

這款GBU封裝的整流橋器件，專為高電壓、大電流應用場合設計。擁有1000V的高反向電壓額定值（VR），確保在高壓環境下穩定工作。其正向壓降VF在10A電流下低至1.05V，有效降低功耗并提升電源轉換效率。此外，器件具備出色的電流處理能力，最大連續輸出電流可達10A（IO），保證了設備運行時的高效與可靠性。此款整流橋是各類高要求電路設計的理想選擇，助您輕松應對復雜電源轉換挑戰。

GBL810

GBL

MXsemi

晶體管

1500個/圓盤

此款GBL封裝整流橋器件，專為高效能電源轉換應用打造。其具備高達1000V的反向電壓額定值（VR），確保在高壓條件下安全穩定運行。在3A工作電流下，正向壓降VF低至1.1V，有效減少功率損耗并提升整體系統效能。此外，該器件的最大連續輸出電流可達8A（IO），展現出卓越的電流承載能力，尤其適用于需要處理中高電流強度及高電壓環境的電路設計。這款整流橋憑借其高性能與高可靠性，成為您實現理想電源轉換方案的理想之選。

KBU610

KBU

MXsemi

晶體管

1500個/圓盤

這款KBU封裝的高品質整流橋器件，專為1000V高電壓環境和大電流應用設計。憑借出色的耐壓性能，可承受高達1000V的反向電壓，確保系統穩定高效運行。在6A的工作電流下，其正向電壓降低至1.1V，有效降低功耗并提升電力轉換效率。此外，該器件具有卓越的電流承載能力，最大連續輸出電流可達6A，適用于各類中大功率電源、電機驅動等領域。選擇此款整流橋，您的設備將實現更高能效與更佳穩定性表現。

ABS10

ABS

MXsemi

晶體管

5000個/圓盤

這款整流橋器件封裝采用ABS工藝，適用于對性能和效率有高要求的電路設計。其擁有VR1000V的額定電壓，確保在高壓條件下穩定運行。關鍵參數VF表現為1V@0.4A，即在0.4A電流下正向壓降僅為1V，實現低功耗與高效能的完美結合。器件提供最大1A的輸出電流（IO:1A），適合各類中等電流應用場合。此款半導體整流橋憑借卓越的電氣性能及節能特性，是電源適配器、驅動電路等電子設備的理想選擇，助力提升您的設備整體性能與能源利用率。

MB10S

MBS

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

此款MBS封裝整流橋器件，擁有1000V的高直流反向耐壓性能，能有效應對高壓環境下的電路保護需求。其平均整流電流為0.8A，滿足中低功率設備的電流處理要求。在0.4A工作電流下，正向壓降僅為1V，確保了較低的能量損耗和更高的工作效率。同時，反向電流控制在5uA@1000V，顯示了卓越的絕緣特性，是各類需要穩定、高效整流解決方案的理想選擇。

ABS210

ABS

MXsemi

晶體管

5000個/圓盤

此款整流橋器件采用ABS封裝工藝，專為高可靠性、高效能的電路設計。其卓越的VR1000V額定電壓，確保在高壓環境下穩定工作無虞。在1A電流下，VF僅為1V，展現超低正向壓降特性，有效節省電力損耗，提高整體系統效率。此外，擁有強大的2A輸出電流能力（IO:2A），輕松應對大電流應用場景。這款半導體器件憑借出色的性能表現與節能優勢，成為電源轉換器、逆變器等電子設備的理想配置選擇，為您的設備運行注入澎湃動力和持久穩定性。

GBJ3510

GBJ

MXsemi

晶體管

1500個/圓盤

這款GBJ封裝的高性能整流橋，專為高功率、大電流應用場合打造。具備1000V的卓越反向電壓額定值（VR），確保在高壓環境下穩定運行。其特色在于，在12.5A工作電流下正向壓降VF低至1.05V，有效提升電源轉換效率并降低功耗。更值得關注的是，器件擁有強大的瞬態峰值電流承載能力高達30A（IO），確保在極端條件下仍能提供卓越的性能表現。適用于各類需要處理極高電流強度及高電壓的電路設計，是您構建高效、可靠電源系統的理想選擇。

GBP410

GBP

MXsemi

晶體管

1500個/圓盤

這款GBP封裝整流橋器件，專為高效穩定電源轉換打造。其擁有1000V的高反向電壓額定值（VR），確保在高壓條件下安全運行。在4A工作電流下，正向壓降VF低至1.1V，有效減少功率損耗并提升系統能效表現。同時，器件支持最大連續輸出電流4A（IO），提供卓越的電流處理能力及穩定性。適用于各類需要處理高電壓、中等電流的應用場景，是您電路設計的理想選擇，助您實現性能與可靠性的完美結合。

KBP307

KBP

MXsemi

晶體管

1500個/圓盤

這款采用KBP封裝的高精度整流橋，專為800V電壓等級及中等電流應用設計。其具備出色的耐壓性能，在高達800V的反向電壓下保持穩定工作狀態。在3A的工作電流下，正向電壓降低至1.1V，實現高效能電力轉換與顯著節能效果。器件的最大連續輸出電流為3A，適用于各類電源適配器、中功率電機驅動及電子設備內部電路中的整流需求。選擇本款KBP封裝整流橋，將為您的系統帶來卓越的能效表現和穩定的運行能力。

KBU810

KBU

MXsemi

晶體管

1500個/圓盤

這款采用KBU封裝的高端整流橋器件，特別為1000V高電壓、大電流應用環境設計。在確保卓越電氣性能的同時，能承受高達1000V的反向電壓，保證系統穩定可靠運行。在8A的工作電流下，其正向電壓降僅為1.1V，優化了電力轉換效率，有效減少能源損耗。此外，該器件具有出色的連續輸出能力，最大可承載8A電流，是各類高性能電源供應器、電機驅動的理想選擇。選擇本款整流橋將助力您的設備實現更高能效和更優穩定性。

GBU606

GBU

MXsemi

晶體管

1500個/圓盤

這款GBU封裝的高性能整流橋半導體器件，專為大電流、高效能應用打造。其關鍵特性包括VR耐壓高達600V，確保在常規電壓范圍內穩定運行；VF值低至1.05V@6A，即使在滿載電流6A時也能實現超低壓降，顯著提升電源轉換效率和節能效果；額定輸出電流IO為6A，提供強勁而穩定的電流處理能力。廣泛應用于各類中高端電源系統、逆變器及其他大電流電子設備中，是優化系統性能與可靠性的理想之選。

DB107S

DBS

MXsemi

晶體管

1500個/圓盤

這款DBS封裝的整流橋器件，專為高效低耗電源轉換應用打造。具備1000V的高反向電壓額定值（VR），確保在高壓條件下安全穩定運行。其獨特優勢在于1A電流下正向壓降VF僅為1.1V，有效減少功耗并提升系統能效表現。此外，該器件支持最大連續輸出電流1A（IO），提供卓越的低電流處理能力及穩定性。適用于各類小型化、高效率且需處理中等電壓的應用場景，是您電路設計的理想選擇，助力實現緊湊與性能兼備的電源解決方案。

MB10F

MBF

MXsemi

晶體管

5000個/圓盤

本款高性能整流橋采用MBF封裝技術，專為高電壓、低損耗應用設計。作為一款1000V的高耐壓整流器件，在確保系統穩定運行的同時，展現了出色的電氣性能。在500mA工作電流下，其正向電壓降僅為1.1V，有效減少功耗并提升整體效率。該器件擁有強大的電流處理能力，最大連續輸出電流可達1A，適用于電源轉換器、逆變器及各類高壓直流電設備。選擇這款整流橋，將有力推動您的電路設計實現更高能效與可靠性。

MB6S

MBS

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

MB6S,MB6S參數,MB6S工作原理,MB6S規格書,兆信,MXsemi,橋堆,整流橋

DTC123JE

SOT-523

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

邏輯門驅動微控制器接口馬達驅動電源管理音頻/視頻設備通信電路

DTC143ECA

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

這款NPN型數字晶體管采用緊湊型SOT-23封裝，專為低功耗、高集成度的現代電子設備設計。器件具備50V的最大集射極電壓(Vcc)和0.1A的連續輸出電流(Io)，功率消耗控制在0.2W以內，確保了出色的能效表現。獨特之處在于內置精密電阻網絡，其中R1阻值設定為4.7Ω，并具有10倍于R1的R2阻值（R1/R2=10），有助于簡化電路配置并提升系統穩定性。該晶體管適用于邏輯門電路、信號處理等多種數字應用場合，是實現小型化、高效節能電路的理想選擇。

DTC144EE

SOT-523

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

微控制器輸出驅動邏輯門電路脈沖寬度調制（PWM）驅動接口電路切換傳感器信號放大待機電路低壓開關電源

DTA143ECA

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

邏輯門電路驅動電路信號放大電源管理嵌入式系統消費電子產品

DTC143ZE

SOT-523

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

本款數字NPN晶體管采用先進的SOT-523封裝技術，體積小巧，適用于高密度電路設計。其工作電壓高達50V，連續電流為0.1A，功率耗散可達0.15W，具備出色的能耗控制性能。內部配置精密電阻網絡，其中R1為4.7Ω，R1/R2比例為10，確保了器件在開關和放大狀態下的穩定性和精準性，是各類微電子設備的理想選擇。

DTC114ECA

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

邏輯門驅動模擬開關微控制器輸出緩沖電源管理顯示驅動音頻信號處理

DTC143ZUA

SOT-323

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

數字信號處理LED驅動液晶顯示器（LCD）背光驅動電源管理馬達驅動通信接口

UMH3N

SOT-363

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

這款數字晶體管采用先進的SOT-363封裝，內置一對互補NPN型晶體管。器件提供50V的集射極擊穿電壓（Vceo）及0.1A的最大集電極電流（Ic），功率耗散能力為150mW。其卓越的低飽和電壓特性，在5mA集電極電流和0.25mA基極電流時，VCE(sat)僅為300mV，同時擁有出色的直流電流增益，hFE在1mA/5V條件下范圍達100至600。此外，該晶體管具有高達250MHz的截止頻率(fT)，確保高速開關性能。適用于各類低功耗、高速數字電路設計，如邏輯門電路、信號放大器等應用場合，以其小巧體積與

DTC143ZCA

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

此款NPN型數字晶體管采用緊湊的SOT-23封裝，適用于低功耗數字電路設計。該器件具有50V的最大集射極電壓(Vcc)，可承受0.1A的連續輸出電流(Io)，功率消耗僅為0.2W，確保高效能與節能表現。此外，其內置精密電阻網絡，其中R1設定為4.7Ω，并且R1/R2比例為10，有助于簡化外圍電路設計和提高系統穩定性。這款晶體管憑借小巧體積、優異電氣性能及集成電阻特性，廣泛應用于邏輯門電路、信號切換以及其他各類精密電子設備中。

DTC123YCA

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

這款NPN型數字晶體管采用小型化SOT-23封裝，專為高效能、低功耗的電子設計打造。器件支持最大50V集射極電壓（Vcc），具備0.1A連續輸出電流能力（Io），功率消耗僅為0.2W，確保在緊湊空間內實現卓越性能。獨特之處在于集成有精準電阻網絡，其中R1阻值設定為2.2Ω，并具有與R1約4.5倍的比例關系（R1/R2=4.5），極大簡化了電路設計和提升了系統穩定性。適用于各類邏輯門電路、信號切換等數字應用領域，是現代微型化電子產品中不可或缺的核心組件之一。

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