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BSS138LT1G

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

該款消費級N溝道MOSFET采用SOT-23小型封裝，專為50V電壓系統設計，額定電流0.2A。具有低導通電阻和快速開關性能，尤其適用于電池保護、信號切換等低功耗應用，提供精準高效的功率控制解決方案。

AON3611

DFN-8L(3x3)

MXsemi

晶體管

5000個/圓盤

此款消費級N+P溝道MOSFET采用DFN3X3-8L封裝，集成雙通道技術，額定電壓30V，最大連續電流16A。專為現代電子設備設計，適用于電源轉換、負載管理與電池系統控制，提供高效能、緊湊型的半導體解決方案。

MX2300MI

SOT-23-3L

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

該款消費級N溝道MOSFET采用SOT-23-3L封裝，專為20V電壓系統設計，具備6A大電流處理能力。具有低導通電阻和快速開關特性，廣泛應用于充電器、電源轉換等場景中，提供高效穩定的功率控制功能。

BSS84PH6327

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

該款消費級P溝道MOSFET采用SOT-23封裝，適用于50V電壓系統，額定電流為0.1A。具有低導通電阻和快速開關性能，特別適合于電池保護、信號切換等低功耗應用場景，實現精準可靠的功率控制功能。

DMG3415UQ-7

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

該款消費級P溝道MOSFET采用小型SOT-23封裝，專為18V電壓系統打造，具備7A強大電流處理能力。憑借其低導通電阻和快速開關性能，廣泛應用于充電器、電源轉換等場合，實現高效、可靠的功率控制。

NTR4101PT1G

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

該款消費級P溝道MOSFET采用小型SOT-23封裝，適用于20V電壓系統，額定電流高達3A。具備優越的低導通電阻與快速開關性能，廣泛應用于充電器、電源轉換及各類電子設備中，實現高效、穩定的功率控制功能。

MX10N65F

TO-220F

MXsemi

晶體管

50個/圓盤

該消費級N溝道MOSFET采用經典TO-220F封裝，額定電壓高達650V，可承受10A連續電流，適用于高電壓、大電流電子設備的電源轉換和電機控制等應用，提供穩定可靠的高性能開關解決方案。

IRF3710PBF

TO-220

MXsemi

晶體管

50個/圓盤

這款N溝道消費級MOSFET采用TO-220封裝，專為處理100V高電壓、大電流應用設計。額定連續電流高達60A，適用于電源轉換、電機驅動及電池管理系統，具備低導通電阻和高效散熱能力，是現代電子設備實現高功率密度與能效控制的理想半導體組件。

AO4822

SOP-8

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

本款消費級N+N溝道MOSFET采用SOP-8封裝，集成雙通道設計，額定電壓30V，連續電流高達8.5A。專為高效電源轉換、負載平衡及電池管理系統應用，提供緊湊、高能效的半導體解決方案，滿足現代電子產品多通道控制需求。

Si2323DS-T1-GE3

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

Si2323DS-T1-GE3是一款高性能P溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專為現代微小電子設備設計。主要參數包括最大工作電壓VDSS為20V，能穩定傳輸5A的漏極電流；導通電阻RD(on)僅為30mΩ，有效降低能耗，提高系統效能。廣泛應用在電源管理、負載開關、電池保護等多個領域，是您追求高集成度與節能效果的理想MOS管選擇。

SI2303

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

該款消費級P溝道MOSFET采用小型SOT-23封裝，適用于20V電壓系統，提供2.3A電流承載能力。具備低導通電阻與快速開關性能，廣泛應用于充電器、電源轉換及電子設備的功率控制模塊中，實現高效、穩定的電路管理。

LBSS84

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

這款消費級P溝道MOSFET采用小型SOT-23封裝，適用于50V電壓系統，額定電流0.1A。具備低導通電阻和快速開關性能，特別適合于電池保護、信號切換等精細控制場景，提供精準且高效的功率管理解決方案。

FDN335N

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

此款消費級N溝道MOSFET采用小型SOT-23封裝，額定電壓為20V，可承載高達2.3A的連續電流。專為充電器、電源管理及各類高效電子設備設計，具備出色的低導通電阻和快速開關性能，是實現精準功率控制的理想之選。

FDN340P

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

該款消費級P溝道MOSFET采用SOT-23封裝，適用于20V電壓系統，額定電流3A。具有低導通電阻和快速開關性能，廣泛應用于充電器、電源轉換及各類電子設備中，實現高效、節能的功率控制與管理。

MX304DF

DFN-8L(3x3)

MXsemi

晶體管

5000個/圓盤

這款消費級N+N溝道MOSFET采用DFN3X3-8L封裝，額定電壓為30V，連續電流高達20A。適用于雙通道電源轉換、負載共享及電池管理系統等應用場合，憑借小巧尺寸與高效能表現，實現現代電子設備的緊湊化和節能需求。

MX4266S

SOP-8

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

本款消費級N溝道MOSFET采用SOP-8封裝，額定電壓60V，連續電流高達10A。專為中等至高耐壓應用設計，適用于電源轉換、負載開關及電池管理系統，以緊湊尺寸實現卓越能效與可靠性，滿足現代電子產品高性能需求。

MX8205LI

SOT-23-6L

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

該消費級MOSFET采用SOT-23-6L封裝，集成雙N溝道設計，額定電壓20V，最大連續電流高達6A，特別適合于高效率電源切換和電子設備管理應用。其緊湊結構與卓越性能相結合，為電路提供雙通道、低損耗的功率控制方案。

MX4953S

SOP-8

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

這款消費級P+P溝道MOSFET采用SOP-8封裝，特別針對30V電壓系統設計，具備5.3A連續電流處理能力。雙P溝道配置確保高效能正向導通，適用于電池保護、負載開關等應用，擁有低導通電阻和快速切換特性，為電子設備提供可靠高效的功率管理解決方案。

SI4936ADY-T1-E3

SOP-8

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

SI4936ADY-T1-E3是一款高性能N+N溝道MOSFET，采用小型化SOP-8封裝，專為現代電子設備設計提供高效能電流控制解決方案。其關鍵特性包括最大工作電壓VDSS高達30V，可承載6A連續漏極電流，確保強大電力傳輸；25mΩ的超低導通電阻RD(on)，有效降低功率損耗，提升系統整體能效。廣泛應用于電源轉換、電機驅動、電池管理系統等領域，是您構建高集成度與節能電子產品的理想MOS管選擇。

MX4884S

SOP-8

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

這款消費級MOSFET采用緊湊型SOP-8封裝，內置雙N溝道設計，額定電壓40V，可承載高達12A的連續電流。專為高效電源轉換、電機驅動等應用打造，具備出色的低導通電阻和快速開關性能，是優化系統能效、提升設備運行表現的理想半導體器件選擇。

BSC160N10NS3G

DFN-8L(5x6)

MXsemi

晶體管

2500個/圓盤

這款N溝道消費級MOSFET采用DFN5X6-8L封裝，特別為高功率密度應用設計。額定電壓100V，能承載高達75A連續電流，適用于電源轉換、電池管理系統及大電流開關場景，提供卓越的導通性能與熱管理效率，是現代緊湊型電子設備的理想高性能半導體組件。

MX50N04NF

DFN-8L(5x6)

MXsemi

晶體管

2500個/圓盤

這款消費級N溝道MOSFET采用DFN5X6-8L封裝，額定電壓40V，連續電流可達50A。適用于高效率電源轉換、電機驅動及電池管理系統，具備出色的散熱性能與緊湊尺寸，是現代電子產品理想的小型化、高性能解決方案。

4N65

TO-252-2L

MXsemi

晶體管

2500個/圓盤

這款消費級N溝道MOSFET采用緊湊型TO-252-2L封裝，額定電壓高達650V，電流容量為4A。專為在高壓環境下的消費電子設備設計，提供卓越的開關性能和能效，確保系統穩定運行，是電源管理應用的理想選擇。

SI1032R-T1-GE3

SOT-523

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

SI1032R-T1-GE3是一款高端N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-523封裝設計，適用于空間有限的應用場景。器件特點鮮明，具有20V的VDSS電壓，可承載0.8A連續電流ID，而其優異的導通電阻RD(on)低至180mR，確保了高效能和低功耗運行。此款MOS管適用于電源轉換、電池管理系統、消費電子等多種領域，是提升系統性能、優化能源利用的理想半導體器件選擇。

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