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SOT-23-3L

MXsemi

晶體管

3000個(gè)/圓盤

這款消費(fèi)級(jí)MOSFET采用SOT-23-3L封裝，具有P溝道結(jié)構(gòu)，工作電壓高達(dá)20V，最大連續(xù)電流7A，適用于各種電源轉(zhuǎn)換和開(kāi)關(guān)控制應(yīng)用。緊湊設(shè)計(jì)結(jié)合卓越性能，為電子設(shè)備提供高效率、低損耗的功率管理方案。

MX30N10D

TO-252-2L

MXsemi

晶體管

2500個(gè)/圓盤

本款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，具有100V高耐壓及30A大電流處理能力，專為高效能電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用設(shè)計(jì)，提供低損耗、快速響應(yīng)的開(kāi)關(guān)控制功能，滿足高功率電子設(shè)備需求。

MX6956

TO-252-2L

MXsemi

晶體管

2500個(gè)/圓盤

此款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用先進(jìn)TO-252-2L封裝，擁有60V最大耐壓及高達(dá)50A的持續(xù)電流能力。專為各類中高端消費(fèi)電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)，能顯著提升開(kāi)關(guān)電路效率，保證系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行，是您優(yōu)化電源管理方案的理想之選。

FDS4435A

SOP-8

MXsemi

晶體管

3000個(gè)/圓盤

此款消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET采用SOP-8封裝，專為30V電壓系統(tǒng)設(shè)計(jì)，具備9A大電流處理能力。具有低導(dǎo)通電阻和優(yōu)良的開(kāi)關(guān)性能，適用于電池保護(hù)、電源控制及各類中高功率應(yīng)用場(chǎng)合，是提升消費(fèi)電子設(shè)備能效的理想之選。

MX50P02D

TO-252-2L

MXsemi

晶體管

2500個(gè)/圓盤

本款消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，具備20V工作電壓及高達(dá)50A的大電流處理能力。專為低壓、高電流應(yīng)用的消費(fèi)電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)，提供卓越開(kāi)關(guān)性能與能效表現(xiàn)，是優(yōu)化電源轉(zhuǎn)換和系統(tǒng)穩(wěn)定性的理想半導(dǎo)體元件選擇。

SSM3J328R

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個(gè)/圓盤

該消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET采用SOT-23封裝，專為18V電壓系統(tǒng)設(shè)計(jì)，提供高達(dá)7A的連續(xù)電流處理能力。具備低導(dǎo)通電阻與快速開(kāi)關(guān)特性，廣泛應(yīng)用于電池保護(hù)、電源管理等領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)高效可靠的功率轉(zhuǎn)換與控制功能。

MX3415MI

SOT-23-3L

MXsemi

晶體管

3000個(gè)/圓盤

這款消費(fèi)級(jí)MOSFET采用小型SOT-23-3L封裝，內(nèi)建P溝道技術(shù)，工作電壓為20V，最大連續(xù)電流4.1A，適用于各類電子設(shè)備的電源管理和高效開(kāi)關(guān)應(yīng)用。憑借其緊湊尺寸和優(yōu)良性能，有效提升系統(tǒng)效率并確保穩(wěn)定運(yùn)行。

2N60L

TO-252-2L

MXsemi

晶體管

2500個(gè)/圓盤

本款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用緊湊型TO-252-2L封裝，額定耐壓高達(dá)650V，可穩(wěn)定處理2A電流。專為高效能、低損耗的高壓開(kāi)關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)，廣泛適用于各類消費(fèi)電子產(chǎn)品，是優(yōu)化電源管理方案、提升系統(tǒng)可靠性的理想半導(dǎo)體元件。

30N03A

TO-252-2L

MXsemi

晶體管

2500個(gè)/圓盤

該消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，額定電壓30V，最大連續(xù)電流高達(dá)100A，專為高功率、大電流應(yīng)用設(shè)計(jì)，如電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)，提供卓越的開(kāi)關(guān)性能及低損耗表現(xiàn)。

MX50P03DF

DFN-8L(3x3)

MXsemi

晶體管

5000個(gè)/圓盤

此款消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET采用緊湊型DFN3X3-8L封裝，額定電壓30V，具備高達(dá)50A連續(xù)電流處理能力。專為高功率密度應(yīng)用設(shè)計(jì)，廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開(kāi)關(guān)控制及電池管理系統(tǒng)中，實(shí)現(xiàn)卓越能效與空間節(jié)省。

MX3404MI

SOT-23-3L

MXsemi

晶體管

3000個(gè)/圓盤

該款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用SOT-23-3L封裝，專為30V電壓系統(tǒng)設(shè)計(jì)，具備5A強(qiáng)大電流承載力。具有低導(dǎo)通電阻與快速開(kāi)關(guān)特性，廣泛應(yīng)用于充電器、電源轉(zhuǎn)換等設(shè)備中，實(shí)現(xiàn)高效能、穩(wěn)定的功率控制功能。

SI4559ADY

SOP-8

MXsemi

晶體管

3000個(gè)/圓盤

這款消費(fèi)級(jí)N+P溝道MOSFET采用SOP-8封裝，適用于60V電壓環(huán)境，額定電流6A。雙通道設(shè)計(jì)支持正負(fù)電壓控制，廣泛應(yīng)用于電池管理、電源轉(zhuǎn)換器等場(chǎng)景，具備低導(dǎo)通電阻和高效開(kāi)關(guān)性能，是現(xiàn)代電子設(shè)備理想的雙向功率開(kāi)關(guān)組件。

SI2301

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個(gè)/圓盤

該款消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET采用SOT-23封裝，適用于20V電壓系統(tǒng)，提供3A電流承載能力。具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)性能，廣泛應(yīng)用于充電器、電源管理等領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的功率轉(zhuǎn)換與控制功能。

AOD4132

TO-252-2L

MXsemi

晶體管

2500個(gè)/圓盤

該消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，額定電壓30V，最大連續(xù)電流100A，適用于高功率電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用，提供低阻抗、高效能的開(kāi)關(guān)控制功能，滿足大電流系統(tǒng)需求。

AON6362

DFN-8L(5x6)

MXsemi

晶體管

5000個(gè)/圓盤

本款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用DFN5X6-8L封裝，額定電壓30V，連續(xù)電流高達(dá)70A。專為高功率密度和高效能應(yīng)用設(shè)計(jì)，適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及電池管理系統(tǒng)，提供卓越的散熱性能與空間利用率。

HN2194

DFN-8L(3x3)

MXsemi

晶體管

5000個(gè)/圓盤

本款消費(fèi)級(jí)N+P溝道MOSFET采用DFN3X3-8L封裝，集成雙通道驅(qū)動(dòng)，額定電壓30V，連續(xù)電流16A。專為高效、空間有限的電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載控制及電池管理系統(tǒng)設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)卓越的能效與緊湊布局，滿足現(xiàn)代電子設(shè)備的多元化需求。

DMN26D0UFB4-7

DFN1006-3L

MXsemi

晶體管

10000個(gè)/圓盤

此款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用超微型DFN1006-3L封裝，額定電壓20V，最大連續(xù)電流0.7A。專為低功耗、緊湊型電路設(shè)計(jì)，適用于小型電源轉(zhuǎn)換、信號(hào)切換及電池保護(hù)應(yīng)用，提供卓越的能效和空間利用率。

12N65

TO-220F

MXsemi

晶體管

50個(gè)/圓盤

該消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用TO-220F封裝，具備650V高耐壓及12A大電流承載能力，專為高功率電子設(shè)備設(shè)計(jì)，應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)合，提供卓越的開(kāi)關(guān)性能和穩(wěn)定可靠的功率管理方案。

IRFP450

TO-247S

MXsemi

晶體管

30個(gè)/圓盤

本款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用TO-247S封裝，具有500V高耐壓及14A大電流承載能力，適用于高壓電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用場(chǎng)合，提供高效能開(kāi)關(guān)控制與卓越的功率管理解決方案。

MX3407MI

SOT-23-3L

MXsemi

晶體管

3000個(gè)/圓盤

本款消費(fèi)級(jí)MOSFET采用SOT-23-3L封裝，搭載P溝道技術(shù)，額定電壓為30V，連續(xù)電流高達(dá)4.1A，適用于各類電源管理和電子設(shè)備開(kāi)關(guān)應(yīng)用。憑借其小巧尺寸和高效性能，可實(shí)現(xiàn)高穩(wěn)定性和低損耗的電路設(shè)計(jì)。

MX100N03D

TO-252-2L

MXsemi

晶體管

2500個(gè)/圓盤

該消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，額定電壓30V，峰值電流高達(dá)100A，專為高功率應(yīng)用如電源轉(zhuǎn)換、大電流電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，提供低損耗、高效能的開(kāi)關(guān)控制性能。

MX6800LI

SOT-23-6L

MXsemi

晶體管

3000個(gè)/圓盤

該消費(fèi)級(jí)MOSFET采用SOT-23-6L封裝，集成雙N溝道設(shè)計(jì)，額定電壓30V，連續(xù)電流可達(dá)4.5A，適用于各類電源管理與高效切換應(yīng)用。其緊湊結(jié)構(gòu)及卓越性能，為電子設(shè)備提供理想的雙通道功率控制解決方案。

IRFR5305T

TO-252-2L

MXsemi

晶體管

2500個(gè)/圓盤

本款消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，具備60V高耐壓及高效能的20A電流處理能力。專為中高壓開(kāi)關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)，廣泛應(yīng)用于各類消費(fèi)電子產(chǎn)品中，有效提升電源轉(zhuǎn)換效率與系統(tǒng)穩(wěn)定性，是優(yōu)化電路性能的理想半導(dǎo)體器件。

SI2307A

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個(gè)/圓盤

該款消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET采用緊湊型SOT-23封裝，專為30V電壓系統(tǒng)設(shè)計(jì)，具有4.2A大電流處理能力。具備出色的低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)性能，廣泛應(yīng)用于充電器、電源轉(zhuǎn)換等場(chǎng)合，提供高效、穩(wěn)定的功率控制解決方案。

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