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SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

DMP3068LMOS管是一款P溝道半導(dǎo)體元件，采用節(jié)省空間的SOT-23封裝形式。該器件額定電壓VDSS高達(dá)30V，能承載4.2A的連續(xù)電流ID，滿足中高功率需求。其導(dǎo)通電阻為45mR，保證了在大電流應(yīng)用中的良好能效。適用于電源開關(guān)控制、電池管理系統(tǒng)及負(fù)載驅(qū)動等多個(gè)領(lǐng)域，是設(shè)計(jì)師進(jìn)行高效電源管理和電路控制的理想MOS管解決方案。

SUD50N06-09L-E3

TO-252-2L

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

2500個(gè)/圓盤

SUD50N06-09L-E3是一款高性能N溝道MOSFET，采用流行的TO-252-2L封裝，專為高效率、大電流應(yīng)用場景設(shè)計(jì)。該器件工作電壓高達(dá)60V(VDSS)，具備強(qiáng)大的電流處理能力，可承載連續(xù)漏極電流80A(ID)，并且在導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻僅為6.5mΩ(RD(on))，極大程度地減少了功率損耗，提升了整體能源轉(zhuǎn)換效率。SUD50N06-09L-E3適用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動、電池管理系統(tǒng)等眾多領(lǐng)域，是構(gòu)建節(jié)能高效電子系統(tǒng)的優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體元件。

IRF7424PBF

SOP-8

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

IRF7424PbFP溝道MOSFET采用標(biāo)準(zhǔn)SOP-8封裝，專為高電流應(yīng)用環(huán)境打造。其擁有30V的最大漏源電壓(VDSS)，并能在系統(tǒng)中安全地處理高達(dá)12A的連續(xù)電流，得益于僅10mΩ的導(dǎo)通電阻，極大提升了整體能效表現(xiàn)。此款器件廣泛應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、電池保護(hù)等領(lǐng)域，以出色的電流處理能力和卓越的能效，為您的電路設(shè)計(jì)提供有力支持。

IRLR2905ZPBF

TO-252-2L

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

2500個(gè)/圓盤

這款消費(fèi)級N溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，專為處理60V電壓下的大電流應(yīng)用。具備50A連續(xù)電流承載能力，廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動及電池管理系統(tǒng)，具有低導(dǎo)通電阻與高效散熱性能，是現(xiàn)代電子設(shè)備實(shí)現(xiàn)高效率功率控制的理想選擇。

AON7506

DFN-8L(3x3)

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

5000個(gè)/圓盤

這款消費(fèi)級N溝道MOSFET采用超小型DFN3X3-8L封裝，具有出色的散熱性能與高功率密度。額定電壓為30V，連續(xù)電流高達(dá)50A，適用于空間有限的電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)控制以及電池管理系統(tǒng)應(yīng)用，實(shí)現(xiàn)高效能、低損耗的電路設(shè)計(jì)需求。

SMAJ24CA

SMA(DO-214AC)

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

5000個(gè)/圓盤

此款SMA封裝的TVS瞬態(tài)抑制二極管為Bi雙向類型，專為高效能雙向過電壓保護(hù)設(shè)計(jì)。具有24V的穩(wěn)定雙向反向工作電壓VRWM，在正負(fù)極性瞬變中均表現(xiàn)出色，可承受峰值脈沖電流IPP高達(dá)10.3A。它能夠快速響應(yīng)并精確鉗位瞬間高壓，有效防止雷擊、靜電放電等引起的電路損壞，是電源線、信號線以及各類電子設(shè)備理想的瞬態(tài)保護(hù)解決方案。

AONR36368

DFN-8L(3x3)

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

5000個(gè)/圓盤

本款消費(fèi)級N溝道MOSFET采用緊湊型DFN3X3-8L封裝，提供卓越的功率密度。額定電壓為30V，連續(xù)電流高達(dá)60A，適用于小型化電源轉(zhuǎn)換、高效負(fù)載開關(guān)以及電池管理系統(tǒng)應(yīng)用，實(shí)現(xiàn)空間節(jié)省與高性能的理想結(jié)合。

MX80N03NF

DFN-8L(5x6)

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

5000個(gè)/圓盤

此款消費(fèi)級N溝道MOSFET采用DFN5X6-8L封裝，額定電壓30V，連續(xù)電流高達(dá)80A。專為高性能電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動和電池管理系統(tǒng)設(shè)計(jì)，具備卓越的功率處理能力和緊湊尺寸，是現(xiàn)代高密度電子應(yīng)用的理想選擇。

IRFS4310ZTRLPBF

TO-263

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

800個(gè)/圓盤

此款N溝道消費(fèi)級MOSFET采用TO-263封裝，專為處理高電流、大功率應(yīng)用設(shè)計(jì)。具備100V的額定電壓和驚人的260A連續(xù)工作電流能力，尤其適用于電機(jī)驅(qū)動、電源轉(zhuǎn)換器及高功率開關(guān)電路，提供卓越的導(dǎo)通性能與散熱效能，是大型工業(yè)級電子設(shè)備及高端消費(fèi)電子產(chǎn)品不可或缺的核心組件。

BSC097N06NS

DFN-8L(5x6)

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

5000個(gè)/圓盤

該N溝道消費(fèi)級MOSFET采用DFN5X6-8L封裝，專為高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。額定電壓60V，能承載高達(dá)65A連續(xù)電流，尤其適用于電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)及大功率電子設(shè)備，具備低導(dǎo)通電阻與高效散熱性能，是現(xiàn)代緊湊型系統(tǒng)理想的高性能半導(dǎo)體組件。

CJ3139K

SOT-723

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

8000個(gè)/圓盤

負(fù)載/電源開關(guān)放大電路高頻通信設(shè)備接口，邏輯交換超小型便攜式電子產(chǎn)品的電池管理

SiS407DN

DFN-8L(3x3)

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

5000個(gè)/圓盤

本款消費(fèi)級P溝道MOSFET采用DFN3X3-8L封裝，體積小巧、性能優(yōu)越。額定電壓20V，連續(xù)電流承載能力高達(dá)30A，專為現(xiàn)代電子設(shè)備設(shè)計(jì)，應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)控制及電池管理系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)高效能與緊湊布局的完美結(jié)合。

MX3401AI

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

該款消費(fèi)級P溝道MOSFET采用SOT-23封裝，專為30V系統(tǒng)設(shè)計(jì)，具備4.2A大電流處理能力。具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，廣泛應(yīng)用于充電器、電源轉(zhuǎn)換等設(shè)備中，實(shí)現(xiàn)高效、可靠的功率控制與切換功能。

BSC0702LS

DFN-8L(5x6)

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

5000個(gè)/圓盤

這款高性能N溝道消費(fèi)級MOSFET采用緊湊型DFN5X6-8L封裝，專為處理高電壓、大電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。器件具有60V額定電壓和高達(dá)125A的連續(xù)電流能力，尤其適用于電池管理系統(tǒng)、電源轉(zhuǎn)換器及大功率電機(jī)驅(qū)動場合，提供卓越的導(dǎo)通性能與散熱效率，是現(xiàn)代高效電子設(shè)備的核心組件。

MX60N03DF

DFN-8L(3x3)

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

5000個(gè)/圓盤

這款消費(fèi)級N溝道MOSFET采用DFN3X3-8L封裝，緊湊而高效，額定電壓30V，連續(xù)電流高達(dá)60A。專為現(xiàn)代電子產(chǎn)品的小型化需求設(shè)計(jì)，適用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)以及電池管理系統(tǒng)等應(yīng)用場合，提供卓越的功率處理能力和空間利用率。

NVMFD5853NL

DFN-8L(5x6)

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

5000個(gè)/圓盤

本款消費(fèi)級N溝道MOSFET采用DFN5X6-8L封裝，額定電壓40V，連續(xù)電流高達(dá)50A。專為高效電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動及電池管理系統(tǒng)設(shè)計(jì)，具備卓越的功率密度與散熱性能，是現(xiàn)代電子產(chǎn)品小型化和高性能應(yīng)用的理想選擇。

AO3407

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

該款消費(fèi)級P溝道MOSFET采用緊湊SOT-23封裝，額定電壓30V，可承載4.1A連續(xù)電流。具備低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能，廣泛應(yīng)用于充電器、電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域，為電子設(shè)備提供高效、穩(wěn)定的功率控制解決方案。

AO4884

SOP-8

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

本款消費(fèi)級MOSFET采用SOP-8封裝，內(nèi)置高效N+N溝道設(shè)計(jì)，額定電壓40V，連續(xù)電流高達(dá)8A。適用于充電器、電源管理、逆變器等高功率應(yīng)用場合，具備低導(dǎo)通電阻和卓越的開關(guān)性能，有效提升系統(tǒng)效率并確保穩(wěn)定運(yùn)作，是電子設(shè)備的理想功率控制組件。

IRLR8726TRLPBF

TO-252-2L

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

2500個(gè)/圓盤

該消費(fèi)級N溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，具有30V工作電壓和高達(dá)100A的連續(xù)電流承載能力，適用于高功率電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用場合，提供高效能、低損耗的開關(guān)控制解決方案。

MX3012GD

TO-252-4L

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

2500個(gè)/圓盤

本款消費(fèi)級N+P溝道MOSFET采用TO-252-4L封裝，具備30V工作電壓和穩(wěn)定20A電流處理性能。專為實(shí)現(xiàn)高效雙極性電源切換與控制設(shè)計(jì)，適用于各類低壓消費(fèi)電子產(chǎn)品，是提升系統(tǒng)能效與可靠性的理想半導(dǎo)體組件。

HD6955

TO-252-2L

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

2500個(gè)/圓盤

本款消費(fèi)級P溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，具有60V高工作電壓及20A穩(wěn)定電流承載力。專為中高壓環(huán)境下消費(fèi)電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)卓越的電源轉(zhuǎn)換效率與系統(tǒng)穩(wěn)定性，是優(yōu)化電路性能的理想半導(dǎo)體元件選擇。

IRLML5203TRPBF

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

這款消費(fèi)級P溝道MOSFET采用緊湊型SOT-23封裝，額定電壓30V，具備4.2A大電流處理能力。具有卓越的低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能，適用于充電器、電源管理等應(yīng)用場合，提供高效、穩(wěn)定的功率轉(zhuǎn)換與控制功能。

HD7258

TO-252-2L

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

2500個(gè)/圓盤

該消費(fèi)級N溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，額定電壓100V，峰值電流高達(dá)30A，專為高功率電子設(shè)備設(shè)計(jì)，應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動等場合，提供強(qiáng)大且高效的開關(guān)控制與卓越的功率管理功能。

MX4606S

SOP-8

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

此款消費(fèi)級N+P溝道MOSFET封裝于SOP-8，專為高效能雙向電源控制打造。額定電壓30V，最大連續(xù)電流6A，適合電池管理系統(tǒng)、AC/DC轉(zhuǎn)換及各類消費(fèi)電子產(chǎn)品。集成雙極性通道，提供優(yōu)越的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻，確保在正負(fù)電壓下穩(wěn)定工作，提升系統(tǒng)效能與節(jié)能表現(xiàn)。

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